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大功率器件專用氮化鎵單晶襯底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

產品中心

Products Center

4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

白箭頭

黑箭頭

4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）

4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）

4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）

規格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電阻率(300k)：>1×10?Ω*cm

白箭頭

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2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）

4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）

4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）

規格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電阻率(300k)：>1×10?Ω*cm

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2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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專業的高質量氮化鎵襯底供應商

蘇州納維科技有限公司致力于第三代半導體核心關鍵材料——氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發與產業化，經過15年努力，實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸的關鍵技術，現在是國內和國際少數幾家之一能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產品的單位；氮化鎵產品性能綜合指標國際領先，未來3年重點實現將技術先發優勢轉化為在全球的市場優勢。

蘇州納維科技有限公司成立于2007年，專注于高質量氮化鎵半導體單晶材料的生長。氮化鎵是第三代半導體的代表，它是節能照明、激光投影顯示、智能電網、新能源汽車、5G通信等產業的核心基礎材料，預計到未來將形成萬億美元以上的市場規模。

專業的高質量氮化鎵襯底供應商

蘇州納維科技有限公司致力于第三代半導體核心關鍵材料——氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發與產業化，經過15年努力，實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸的關鍵技術，現在是國內和國際少數幾家之一能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產品的單位；氮化鎵產品性能綜合指標國際領先，未來3年重點實現將技術先發優勢轉化為在全球的市場優勢。

蘇州納維科技有限公司成立于2007年，專注于高質量氮化鎵半導體單晶材料的生長。氮化鎵是第三代半導體的代表，它是節能照明、激光投影顯示、智能電網、新能源汽車、5G通信等產業的核心基礎材料，預計到2025年將形成萬億美元以上的市場規模。

2007年
公司成立

500+
服務客戶

60+
核心專利

50+
邀請報告

10億+
總投資

產品應用

Applications ——

氮化鎵是第三代半導體的代表，它是節能照明、激光投影顯示、智能電網、新能源汽車、5G通信等產業的核心基礎材料，預計到未來將形成萬億美元以上的市場規模...

射頻電子領域

電力電子領域

新型顯示領域

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蘇州納維總部大樓建設正式啟動

蘇州納維總部大樓建設正式啟動

2021年1月24日上午，蘇州納維科技有限公司總部大樓建設項目在蘇州工業園區正式奠基。園區黨工委副書記、管委會主任丁立新，中科院蘇州納米所書記、副所長（主持工作）鄧強，蘇州市科技局原黨組書記吳偉澎，園區黨工委委員、管委會副主任倪乾，獨墅湖科教創新區黨工委書記許文清

典型GaN射頻器件的工藝流程

典型GaN射頻器件的工藝流程

典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環節：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環節。

氮化鎵X波段氮化鎵放大器和阻塞轉換器的新進展

氮化鎵X波段氮化鎵放大器和阻塞轉換器的新進展

英國高性能微波功率放大器公司Diamond Microwave近日宣布推出一系列小型微波GaN基脈沖固態功率放大器（SSPA），包括200W和400WX波段SSPA，以及即將增加的1kW C波段放大器的設計和1kW X波段放大器。

蘇州納維總部大樓建設正式啟動

蘇州納維總部大樓建設正式啟動

2021年1月24日上午，蘇州納維科技有限公司總部大樓建設項目在蘇州工業園區正式奠基。園區黨工委副書記、管委會主任丁立新，中科院蘇州納米所書記、副所長（主持工作）鄧強，蘇州市科技局原黨組書記吳偉澎，園區黨工委委員、管委會副主任倪乾，獨墅湖科教創新區黨工委書記許文清

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